IPB123N10N3 G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPB123N10N3 G
|
|
حجم فایل
|
61.549
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPB123N10N3 G
-
Power Dissipation (Pd):
94W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
58A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@46uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
12.3mΩ@10V,46A
-
Package:
TO-263
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
